baner

Wybrane publikacje Zakładu Fizyki Technicznej

  1. J.M. Olchowik. Effect of surface orientation of the substrate on the saturation state of solution during liquid phase heteroepitaxy. Acta Physica Polonica A, 82, 745, 1992.
  2. J.M. Olchowik, Effect of interface on the spinodal decomposition of GaInPAs solid solutions during liquid phase heteroepitaxy. Acta Physica Polonica A,84, 812,1993.
  3. J.M. Olchowik. O termodynamicznej niestabilności stałych roztworów Ga-In-P-As. Prace Naukowe Politechniki Lubelskiej 230. Fizyka 9, 1993, s. 57-65.
  4. D. Szymczuk, J.M. Olchowik, J.K. Żurawicz, Automatyzacja sterowania bezinercyjnym piecem oporowym przy syntezie warstw z fazy ciekłej, Prace Naukowe Politechniki Lubelskiej 230. Fizyka 9, 1993, s.51-56.
  5. J.M. Olchowik, D. Szymczuk, J. Mucha, Warstwy przejściowe w strukturach baterii słonecznych, Prace Naukowe Politechniki Lubelskiej 230. Fizyka 9, 1993, s. 173-177.
  6. J.M. Olchowik, Energia słoneczna w służbie człowieka - osiągnięcia i możliwości, Prace Naukowe Politechniki Lubelskiej 230. Fizyka 9, 1993, s.178-183.
  7. E. Jartych, J.M. Olchowik, J.K. Żurawicz, M. Budzyński, A Mossbauer Spectroscopy of Electrodeposited (CoxNi1-x)1-yFey Alloys with 0
  8. J.M. Olchowik, A Model of Internal Lattice Deformation of the Interface during Liquid Phase Heteroepitakxy of AxB1-xCyD1-y - Type AIIIBV Compounds. Phys.Status Solidi (A), 142, 415, 1994
  9. J.M. Olchowik, Effect of Stabilisation of Lattice Constant in Ga-In-P-As System, Phys.Status Solidi (A), 144, 371, 1994.
  10. J.M. Olchowik, Contact Etching of GaP Substrates by Ga-In-P-As Saturated Solution during Liquid Phase Heteroepitaxy, Phys.Status Solidi (A), 144, 363, 1994
  11. J.M. Olchowik, Mechanizmy powstawania i relaksacji naprężeń międzyfazowych podczas heteroepitaksji warstw z fazy ciekłej, Prace Naukowe Politechniki Lubelskiej, Fizyka 10, 17, 1994, s.17-24.
  12. J.M. Olchowik, Influence of Interface on Contact Supersaturation of Ga-In-P-As Alloys, Phys.Status Solidi (A), 146, K19, 1994,.
  13. W. Sadowski, M. Gazda, B. Kusz, T. Klimczuk, M. Luszczek, J.M. Olchowik, Growth and Characterization of PrBa2Cu3O7-d single Crystals, Physica (c), 235-240, 363, 1994.
  14. J.M. Olchowik, Stimulation of Crystalline Lattice Stabilisation of Ga-In-P-As Layers during Heteroepitaxy, Acta Phys. Polonica (a), 87, 477, 1995
  15. J.M. Olchowik, D. Szymczuk, Morphological Instability of Substrates of AIIIBV Compounds during Heteroepitaxy from Liquid Phase, Acta Phys. Polonica (a), 87, 317, 1995.
  16. J.M. Olchowik, W. Sadowski, D. Szymczuk, Erosive dissolution of InP Substrates during Liquid Phase Heteroepitaxy, Phys.Status Solidi (A) 148, 469,1995
  17. J.M. Olchowik, W. Sadowski, D. Szymczuk, Effect of Interface Energy on Erosion of AIIIBV Substrates during Liquid Phase Heteroepitaxy, J. of Cryst. Growth 153,11, 1995.
  18. J.M. Olchowik, D. Szymczuk, Morphological Instability of Substrates of AIIIBV Compounds during Heteroepitaxy from Liquid Phase, Acta Phys. Polonica (a), 87, 317, 1995.
  19. J.M. Olchowik, W. Sadowski, D. Szymczuk, Erosive dissolution of InP Substrates during Liquid Phase Heteroepitaxy, Phys. Status Solidi (A) 148, 469,1995
  20. J.M. Olchowik, Wpływ międzypowierzchni na charakter syntezy wieloskładnikowych związków heteroepitaksjalnych AIIIBV z fazy ciekłej i jej teoretyczny model, Wydawnictwa Uczelniane Politechniki Lubelskiej, 1995.
  21. J.M. Olchowik, H. Soumana, M. Gavand, L. Mayet. Graded GaxIn1-xP window on GaAs solar cells grown by isothermal liquid phase epitaxy,Proceedings of the 10th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 8?12 April 1991, Lisbon (Portugal), p.556?558.
  22. J.M. Olchowik, H. Soumana, M. Gavand, L. Mayet, A. Laugier. Gax In1-x P Graded Layers Grown by Isothermal Liquid Phase Epitaxy on GaAs Solar Cells. Proceedings of 22nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Las Vegas, Nevada, 7?11, October 1991, p.403.
  23. J.M. Olchowik, D. Szymczuk. J. Mucha, GaxIn1-xPyAs1-y Graded Optical Windows on GaAs Substrate Performed by Means of Epitaxy from Liquid Phase with Very Short Exposure, Proceedings of the 12th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 11?15 April 1994, Amsterdam (The Netherlands), 1390.
  24. V.V. Kuznetsov, P.P. Moskvin, J.M. Olchowik, V.S. Sorokin. Patent HOL 21/208 Nr 3771587/24?25(096913),1984.
  25. J.M. Olchowik, Sposób określenia wpływu orientacji podłoża na izotermiczne przesycenie roztworu nasyconego. Patent RP, P-293 606 (92-02-24)
  26. J.M. Olchowik, D. Szymczuk, Sposób i urządzenie do otrzymywania cienkich gradientowych okien optycznych dla baterii słonecznych na bazie arsenku galu, Pat. RP P-299 534(93-07-01)
  27. J.M. Olchowik, W. Sadowski, D. Szymczuk, Study of generation of GaxIn1-xPyAs1-y transition layers obtained by liquid phase epitaxy, J. of Cryst. Growth, 158, 241-247, 1996.
  28. J.M. Olchowik, D. Szymczuk, Energy of interface and spinodal decomposition of AIIIBV solid solutions, Electron Technology, 29, 2/3, 110-115, 1996.
  29. J.M. Olchowik, W. Sadowski, D. Szymczuk, J. Mucha, A, Zdyb, K. Zabielski, Effect of technological conditions on the epitaxial growth of Ga-In-P-As/Si heterostructures, Electron Technology, 30, 2, 1997, 134-137.
  30. M. Łuszczek, W. Sadowski, T. Klimczuk, J.M. Olchowik, B. Susła, R. Czajka, Traces of superconductivity in PrBa2Cu3O7-d system, Molecular Physics Reports 20 (1997) 213-215.
  31. J.M. Olchowik, D. Szymczuk, W. Sadowski, J. Mucha, A. Zdyb, K. Zabielski, The Influence of the Substrate Orientation on the Modulation of Interface in AIIIBV/Si Heterostructure during Liquid Phase Epitaxy, Molecular Physics Reports 21 (1998) 109-112.
  32. J.M. Olchowik, A. Zdyb, D. Szymczuk, J. Mucha, K. Zabielski, W. Sadowski, M. Mucha, Analysis of the interface energy in GaInPAs/Si structures during liquid phase epitaxy, Electron Technology, 31 (1998) 354-357.
  33. T. Klimczuk, W. Sadowski, J.M. Olchowik, E. Walker, Crystal growth and the influence of oxygen stoichiometry on electrical resistivity of Nd2-xCexCuO4-y single crystals, Supercond. Sci. Technol., 12 (1999) 199-202.
  34. M. Łuszczek, W. Sadowski, T. Klimczuk, J.M. Olchowik, B. Susła, R. Czajka, Traces of superconductivity in PrBa2Cu3O7-d system, Molecular Physics Reports 20 (1997) 213-215.
  35. M. Łuszczek, W. Sadowski, T. Klimczuk, J.M. Olchowik, B. Susła, R. Czajka, Superconductivity in PrBa2Cu3O7-d single crystals after high-temperature thermal treatment, Physica C 322(1999) 57-64.
  36. J.M. Olchowik, A. Zdyb, D. Szymczuk, W. Sadowski, J. Mucha, K. Zabielski, M. Mucha, Analysis of the crystallisation of GaAs/Si, Opto-electronic Review, 8 No 4 (2000) p.393.
  37. M. Łuszczek, W. Sadowski, T. Klimczuk, J.M. Olchowik, Structural properties of superconducting PrBa2Cu3O7-d single crystals, Physica C vol. 341-348 (1-4) (2000) p. 523-524
  38. Zdyb, D. Szymczuk, J.M. Olchowik, W. Sadowski, J. Mucha, K. Zabielski, M. Mucha, Analysis of the GaAs-Si interactions on the interface energy., Molecular Physics Reports 36 (2002) 145
  39. Zhovnir G.I, Rashkovetski L.V., Moskvin P.P., Rudenkii A.A., J.M. Olchowik, Polyassociative model of the melt and analysis of growing systems during the growth of A2B6 solid solutions, Molecular Physics Reports 36 (2002) 58
  40. Zdyb, J.M. Olchowik, D. Szymczuk, J. Mucha, K. Zabielski, M. Mucha, W. Sadowski, Analysis of the Interfacial Energy of GaAs-Si Heterostructures, Cryst. Res. Technol. 37 (2002) 8 875-880
  41. Jóźwik, J.M. Olchowik, Mass-spectrometric investigations of ion/molecule reactions in Ar/C3H6 mixture, Molecular Physics Reports 39 (2004) 79.
  42. Jóźwik, J. Kraiem, J.M. Olchowik, A. Fave, D. Szymczuk, A. Zdyb, Epitaxial lateral overgrowth of Si on patterned Si substrates by liquid phase epitaxy, Molecukar Physics Reports 39 (2004) 85.
  43. K. Cieślak, S. Gułkowski, I. Jóźwik, J. Mucha, M. Zdrojewska, D. Szymczuk, J.M. Olchowik, Oprogramowanie do wyznaczania parametrów jakościowych i charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw słonecznych, W monografii: "Rachunek Globalny a Przyszłość Informatyki" (red. J.M. Olchowik), Wydawnictwa Naukowe Państwowej Wyższej Szkoły Zawodowej w Białej Podlaskiej, Biała Podlaska 2004, str. 173
  44. S. Olchowik, J.M. Olchowik, DELPHI jako środowisko monitoringu pracy ogniw fotowoltaicznych, W monografii: "Rachunek Globalny a Przyszłość Informatyki" (red. J.M. Olchowik), Wydawnictwa Naukowe Państwowej Wyższej Szkoły Zawodowej w Białej Podlaskiej, Biała Podlaska 2004, str. 180
  45. J. Banaś, R. Tomaszewski, J.M. Olchowik, Komputerowe sterowanie układem "follow the sun" modułów PV Politechniki Lubelskiej, W monografii: "Rachunek Globalny a Przyszłość Informatyki" (red. J.M. Olchowik), Wydawnictwa Naukowe Państwowej Wyższej Szkoły Zawodowej w Białej Podlaskiej, Biała Podlaska 2004, str. 188
  46. J.M. Olchowik, S. Olchowik, Algorytm steowania temperaurą w stanowisku do epitaksji cienkich warstw za pomocą metody LPE, W monografii: "Rachunek Globalny a Przyszłość Informatyki" (red. J.M. Olchowik), Wydawnictwa Naukowe Państwowej Wyższej Szkoły Zawodowej w Białej Podlaskiej, Biała Podlaska 2004, str. 204
  47. P. Matusiak, J.M. Olchowik, Nowoczesne multimedia w edukacji, W monografii: "Rachunek Globalny a Przyszłość Informatyki" (red. J.M. Olchowik), Wydawnictwa Naukowe Państwowej Wyższej Szkoły Zawodowej w Białej Podlaskiej, Biała Podlaska 2004, str. 266.
  48. Jozwik, J.M. Olchowik, J. Kraiem, A. Fave, Silicon-on insulator thin film grown by liquid phase epitaxy, in: Nanostructured and Advanced Materials, edited by A. Vaseashta, D. Dimova-Malinowska, J.M. Marshall, Springer 2005, pp. 347-350.
  49. Jóźwik, J.M. Olchowik, Technologia wytwarzania krzemowych warstw lateralnych dla zastosowań PV, Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej 229 (2006) 247.
  50. J.M. Olchowik, S. Gułkowski, K. Cieślak, I. Jóźwik, J. Adamczyk, R. Tomaszewski, D. Szymczuk, J. Banaś, K. Zabielski, J. Mucha, Monitoring i optymalizacja wykorzystania energii solarnej w Politechnice Lubelskiej, Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej 229 (2006) 371.
  51. J.M. Olchowik, Cienkowarstwowe struktury fotowoltaiczne, Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej 229 (2006) 363.
  52. Jóźwik, J. M. Olchowik, Analysis of the processes of silicon epitaxial lateral overgrowth in Ar ambient gas, Materials Science, Vol. 24, No. 4, 2006 (in press).
  53. T. Cieplak, C. Yamabe, J. M. Olchowik, J. Ozonek, Analysis of ozone generation process and micro-channel intensitydistribution using Discharge Analysis method, Materials Science,Vol. 24, No. 4, 2006 (in press).
  54. S. Gułkowski, J.M. Olchowik, Hydrogen interactions in Magnetic Resonance Imaging, Materials Science, Vol. 24, No. 4, 2006 (in press).
  55. K. Cieslak, J. M. Olchowik, Analysis of wave packet interference pattern in Young experiment, Materials Science, Vol. 24, No. 4, 2006 (in press).
  56. J. M. Olchowik, S. Gułkowski, K. J. Cieslak, J. Banaś, I. Józwik, D. Szymczuk, K. Zabielski, J. Mucha, M. Zdrojewska, J. Adamczyk, R.Tomaszewski, Analysis of temperature influence on the monocrystalline silicon solar cells efficiency under the south-easterly Poland conditions, Materials Science, Vol. 24, No. 4, 2006 (in press).
  57. A.Zdyb , J.M. Olchowik, M. Mucha, The Dependence of GaAs and Si Surface Energy on Crystal Planes Misorientation Angle, Materials Science, Vol. 24, No. 4, 2006 (in press).
  58. Jozwik, J.M. Olchowik, The epitaxial lateral overgrowth of silicon by two-step liquid phase epitaxy, J. Cryst. Growth, 294 (2006) 367.
  59. J.M. Olchowik, W. Sadowski, D. Szymczuk, J. Mucha, A. Zdyb, K.Zabielski, Study on nonequilibrium epitaxial growth of the Ga-In-P-As/Si heterostructures, Proceedings of the 14th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 30 June?4 July 1997, Barcelona (Spain), p. 1748-1751.
  60. J.M. Olchowik, A. Zdyb, W. Sadowski, D. Szymczuk, J. Mucha, K. Zabielski, M. Mucha, Role of atoms layout on the Si surface on character of coupling of GaInPAs/Si heterostructure during LPE, Proceedings of the 2nd World Photovoltaic Solar Energy Conference, 6 - 10 July 1998, Vienna (Austria), p. 144-147.
  61. Fave, B. Semmache, J.M. Olchowik, A. Laugier, F. Mazel, G. Fantozzi, s. Bourdais, A. Slaoui, Silicon thin film formation by liquid phase epitaxy on mullite substrates with RT-CVD polysilicon seed layer, Proceedings of the 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-11), Sept. 20-24 (1999) , Royton Sapporo, Hokkaido, Japan, U-17.
  62. Fave, B. Semmache, J.M. Olchowik, P. Kleiman, A. Laugier, Liquid phase epitaxial Silicon layer with Pyramidal Structure obtained on an etched silicon grid, Proceedings of the 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-11), Sept. 20-24 (1999) , Royton Sapporo, Hokkaido, Japan, p. 977.
  63. J.M. Olchowik, A. Zdyb, D. Szymczuk, W. Sadowski, J. Mucha, K. Zabielski, M. Mucha, Analysis of Crystallisation of GaAs/Si Heterostructures by Means of LPE, Proceedings of 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Glasgow,UK 1-5 May vol.I, (2000) 605-608.
  64. J.M. Olchowik, A. Fave, B. Semmache, A. Laugier, A. Kamiński, W. Sadowski, Crystallisation of Si Epitaxial lateral Overgrowth Layers for Photovoltaic structures, Proceedings of 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Glasgow,UK 1-5 May 2000 vol.II, (2000)1286-1288.
  65. Semmache, A. Fave, P. Kleiman, Ch. Dubois, A. Laugier, J.M. Olchowik, Direct LPE Growth Textured Si Thin Layers on c-Si Etched-Grid Fixed on Ceramic Substrate, Proceedings of 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Glasgow, UK 1-5 May, vol.II, (2000)1140-1143.
  66. J.M. Olchowik, A. Zdyb, D. Szymczuk, W. Sadowski, J. Mucha, K. Zabielski, M. Mucha, New approach to the GaAs/Si interfacial energy determination for direct photovoltaic structure growth, Proceedings of 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Munich, Germany 22-26 October 2001 (212).
  67. J.M. Olchowik, A Zdyb, D. Szymczuk, J. Mucha, K. Zabielski, I. Jóźwik, G. Olchowik, M. Mucha, Determination of GaAs-Si interfacial energy minima, Proceedings of "PV in Europe Conference and Exhibition", Rome, Italy 7-11 October 2002 , 206
  68. J.M. Olchowik, I. Jóźwik, R. Tomaszewski, D. Szymczuk, J. Adamczyk, T. Cieplak, K. Zabielski, J. Mucha, Optimization of work conditions of solar cells in hybrid solar system under conditions of Southeast Poland, Technical Digest of the International PVSEC-14, Bangkok, Thailand 26-30 January 2004, vol. I, p.495.
  69. J.M. Olchowik, I. Jóźwik, D. Szymczuk, K. Zabielski, J. Mucha, R. Tomaszewski, J. Banaś, S. Olchowik, J. Adamczyk, T. Cieplak, A. Zdyb, Analysis of solar cells efficiency in hybrid solar system under conditions of Southeast Poland, Proceedings of the 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Paris, France, 7-11 June 2004, vol. III, p. 3294.
  70. J. Kraiem, A. Fave, A. Kaminski, M. Lemiti, I. Jóźwik, J.M. Olchowik, Epitaxial lateral overgrowth of silicon thin films using liquid phase epitaxy for photovoltaic applications, Proceedings of the 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Paris, France, 7-11 June 2004, vol. I, p. 1158.
  71. J.M. Olchowik, I. Jozwik, K.J. Cieslak, D. Szymczuk, K. Zabielski, J. Mucha, J. Banas, J. Adamczyk, T. Cieplak, A. Zdyb, Response of the Solar Cells in Hybrid System to Insolation Conditions of South-Easterly Poland, Proc. of 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 6-10 June 2005, Barcelona (Spain), (CD) p. 2974.
  72. Jozwik, J.M. Olchowik, K.J. Cieslak, Effect of Ar Process Gas on Epitaxial Lateral Overgrowth of Si on SiO2 Coated Si Substrates, Proc. of 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 6-10 June 2005, Barcelona (Spain), (CD) p. 1329.
  73. J.M. Olchowik, K.Cieslak, S. Gulkowski, I. Jozwik, J. Banas, G. Olchowik, K. Zabielski, J. Adamczyk, R. Tomaszewski, Comparative analysis of solar cells efficiency in stationary and navigated hybrid systems under southeast Poland conditions, Proc. 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Waikoloa, Hawaii, 7-12 May 2006, (in press).
  74. I.Jozwik, J.M. Olchowik, Two-step liquid phase epitaxy growth of silicon on patterned silicon substrates in Ar atmosphere, Proc. 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Waikoloa, Hawaii, 7-12 May 2006, (in press).
  75. J.M. Olchowik, I. Jóźwik, W. Sadowski, The comparison of the kinetics of epitaxial lateral overgrowth on silicon layers in hydrogen and argon gas, materiały międzynarodowej naukowo-technicznej konferencji: "Nauka, obrazowanie i obszcziestwo w XXI wiekie", St. Petersburg, 15 czerwca 2006, 95.
  76. Jozwik, J.M. Olchowik, Multi-step crystallization of silicon epilayers under Ar atmosphere, Proc. of 21th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 4-8 September 2006, Dresden (Germany), (in press) .
  77. J.M. Olchowik, S. Gulkowski, K. Cieslak, I. Jozwik, J. Banas, S. Olchowik, A. Zdyb, D. Szymczuk, J. Adamczyk, R. Tomaszewski, K. Zabielski, J.Mucha, T. Cieplak, Comparative study of the solar modules performance in the hybrid system in South-easterly Poland during first two years of exploitation, Proc. of 21th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 4-8 September 2006, Dresden (Germany), (in press) .
  78. J.M. Olchowik, Sposób wytwarzania płaskich warstw krawędziowych na powierzchni SiO2, Biuletyn Urzędu Patentowego Nr 21 (725) (2001) 20.
  79. J.M. Olchowik, Sposób zwiększenia sprawności baterii słonecznych na bazie krzemu, Biuletyn Urzędu Patentowego Nr 21 (725) (2001) 52.
  80. J.M. Olchowik, Sposób i układ zwiększania sprawności hybrydowego systemu solarnego, Biuletyn Urzędu Patentowego Nr 13 (822) (2005) 77.
  81. W. Sadowski, J.M. Olchowik, Guest Editors of Molecular Physics Reports 36 (2002)
  82. J.M. Olchowik (red), "Rachunek Globalny a Przyszłość Informatyki", Wydawnictwa Naukowe Państwowej Wyższej Szkoły Zawodowej w Białej Podlaskiej, Biała Podlaska 2004, 266str.
  83. J.M. Olchowik , W. Sadowski, N. Guskos, Guest Editors of Materials Science vol.24. Nr 4.
  84. J.M. Olchowik, Cienkie warstwy w strukturach baterii słonecznych, Wydawnictwa Uczelniane Politechniki Lubelskiej 2004, 216str.